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龙图腾网恭喜西默有限公司申请的专利基于晶片的光源参数控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114755893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210210593.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于晶片的光源参数控制是由E·A·梅森;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;W·E·康利设计研发完成，并于2017-10-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于晶片的光源参数控制在说明书摘要公布了：本公开涉及基于晶片的光源参数控制。例如，一种光刻方法包括从光源产生脉冲光束；使脉冲光束跨光刻曝光设备的衬底扫描以用脉冲光束曝光衬底，包括用脉冲光束曝光衬底的每个子区域。子区域是衬底的整个区域的一部分。对于衬底的每个子区域，接收与衬底的子区域相关联的光刻性能参数；分析所接收的光刻性能参数，并且基于该分析，修改脉冲光束的第一光谱特征，并且保持脉冲光束的第二光谱特征。

本发明授权基于晶片的光源参数控制在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 光谱特征选择系统，其与脉冲光束光学地交互； 测量系统，被配置为测量所述脉冲光束的一个或多个光谱特征； 量测装置，被配置为确定衬底的每个子区域的至少一个光刻性能参数，其中子区域是所述衬底的整个区域的一部分，并且其中所述光刻性能参数是与所述衬底相关联的、或者与和所述衬底交互的所述脉冲光束相关联的特性；以及 控制系统，连接到所述光谱特征选择系统、所述测量系统、和所述量测装置，并被配置为对于每个衬底子区域： 从所述量测装置接收经确定的光刻性能参数，并从所述测量系统接收所述脉冲光束的经测量的所述一个或多个光谱特征； 分析所述衬底的每个子区域的经确定的所述光刻性能参数，并分析所述脉冲光束的经测量的所述一个或多个光谱特征；以及 基于这些分析： 向所述光谱特征选择系统发送第一信号，以修改所述脉冲光束的第一光谱特征，其中所述第一光谱特征的修改考虑到经测量的所述一个或多个光谱特征的分析，并且其中所述第一信号是基于所述光刻性能参数位于可接受范围之外的确定而被发送的；以及 通过在所述脉冲光束的所述第一光谱特征被修改时将第二信号发送到所述光谱特征选择系统，将所述脉冲光束的第二光谱特征保持在所述第二光谱特征的值的范围内。

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