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龙图腾网恭喜南昌大学申请的专利一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119913613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510386793.3，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器是由王启胜;郭博文设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器，涉及光电探测器技术领域。半导体单晶薄膜包括衬底、PbS缓冲层和半导体单晶层；PbS缓冲层是以生长在基片表面的PbS单晶块层为原料，在衬底表面连续生长而形成。本发明的有益效果在于利用PbS作为缓冲层晶格匹配生长高质量、单晶性优秀的半导体薄膜，同时利用化学气相沉积过程中管式炉加热不均匀产生的温度梯度，实现PbS缓冲层和半导体单晶层的连续生长，有效减少升温时间、降低成本，同时避免了多次转移导致的界面污染和缺陷引入，显著提高了薄膜的质量和性能。基于此技术制备的光电探测器，具有更高的灵敏度，可广泛应用于红外探测等领域。

本发明授权一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种半导体单晶薄膜，其特征在于，包括衬底、生长在所述衬底上的PbS缓冲层以及生长在所述PbS缓冲层上的半导体单晶层；所述PbS缓冲层是以PbS单晶块层为原料，在所述衬底表面连续生长而形成；所述PbS单晶块层的厚度为1微米-10微米，所述PbS缓冲层的厚度为5纳米-50纳米；所述半导体单晶层的材料为具有面心立方晶体结构的半导体材料；所述半导体单晶层的厚度为0.5微米~1微米；所述半导体单晶层为SeSn单晶层和PbSnTe单晶层中的至少一种；所述衬底为钛酸锶；所述半导体单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、通过物理气相沉积法或者化学气相沉积法在基片表面生长PbS单晶块层，得到生长有PbS单晶块层的基片；S2、沿着载气的流动方向，在化学气相沉积设备中依次放置制备半导体单晶层的原料、所述生长有PbS单晶块层的基片、衬底，控制加热温度，所述PbS单晶块层形成的蒸汽由载气输送至所述衬底表面形成PbS缓冲层，然后所述制备半导体单晶层的原料形成的蒸汽由载气输送至所述PbS缓冲层表面形成半导体单晶层。

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