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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利飞法级可调微小电容模拟器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118603163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410632844.1，技术领域涉及：G01D18/00；该发明授权飞法级可调微小电容模拟器是由陈禹竺;汪龙祺;刘鑫;于涛;王智;薛科;隋延林;陈泳锟设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本飞法级可调微小电容模拟器在说明书摘要公布了：本发明涉及电子信息技术领域，尤其涉及一种飞法级可调微小电容模拟器，包括屏蔽盒、电容模拟结构、电容调节结构和千分尺结构；电容模拟结构置于屏蔽盒的底板上并接收来自外部设备的激励信号；千分尺结构将电容调节结构支撑在电容模拟结构的正上方并改变电容调节结构与电容模拟结构的正对面积，电容调节结构与电容模拟结构导通并形成第一电容；第一电容与电容模拟结构中的第二电容形成电容差，并将电容差传输出屏蔽盒。本发明通过千分尺结构调节电容调节结构与电容模拟结构的正对面积，相当于改变第一电容的电极之间的相对面积，完成飞法级的电容变化，进而满足精密电子测量系统中电容传感电路输入的可调、精确、稳定的飞法级电容电容差需求。

本发明授权飞法级可调微小电容模拟器在权利要求书中公布了：1.一种飞法级可调微小电容模拟器，包括屏蔽盒，其特征在于：还包括位于所述屏蔽盒的内部的电容模拟结构和电容调节结构，以及位于所述屏蔽盒的侧壁的千分尺结构；其中，所述电容模拟结构置于所述屏蔽盒的底板上并接收来自外部设备的激励信号；所述千分尺结构将所述电容调节结构支撑在所述电容模拟结构的正上方并改变所述电容调节结构与所述电容模拟结构的正对面积，所述电容调节结构与所述电容模拟结构导通并形成第一电容；所述第一电容与所述电容模拟结构中的第二电容形成电容差，并将所述电容差传输出所述屏蔽盒； 所述电容模拟结构包括中心电容电路、电容极片和电路支撑件；其中，所述电路支撑件将所述中心电容电路绝缘支撑在所述底板上；所述中心电容电路包括级联的第一电容组和第二电容组，以及在所述第一电容组和所述第二电容组的中心连接处接有接收所述激励信号的供电导线；所述第一电容组和所述第二电容组的结构一致，均由不少于2个的电容级联组成；所述千分尺结构将所述电容调节结构支撑在所述第一电容组的正上方并改变所述电容调节结构与所述第一电容组的正对面积，所述电容调节结构与所述第一电容组导通并形成所述第一电容；所述电容极片与所述第二电容组导通并形成所述第二电容。

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