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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利磁头及磁记录装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115691564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210026346.3，技术领域涉及：G11B5/127；该发明授权磁头及磁记录装置是由中川裕治;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;前田知幸设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁头及磁记录装置在说明书摘要公布了：本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。层叠体中包含的第3磁性层包含Fe100‑xCox100‑yEy，第2元素E包含选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。

本发明授权磁头及磁记录装置在权利要求书中公布了：1.一种磁头，具备： 第1磁极； 第2磁极；及 层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间， 所述层叠体包括： 第1磁性层； 第2磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间； 第3磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间； 第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间； 第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间； 第3非磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间；及 第4非磁性层，设置于所述第3磁性层与所述第2磁极之间， 所述第4非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、Al、V及Ag中的至少一种， 所述第3磁性层包含Fe100-xCox100-yEy，第2元素E包含选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％，所述第1磁性层及所述第2磁性层不包含所述第2元素E，或者，所述第1磁性层及所述第2磁性层中的所述第2元素E的浓度比所述第3磁性层中的所述第2元素E的浓度低， 沿着第2方向的所述第1磁极的第1磁极长度比沿着所述第2方向的所述第2磁极的第2磁极长度短，所述第2方向相对于作为从所述第1磁性层向所述第2磁性层的方向的第1方向垂直且沿着所述第1磁极的介质相对面， 沿着第3方向的所述第1磁性层的第1磁性层长度比沿着所述第3方向的所述第2磁性层的第2磁性层长度长，所述第3方向相对于所述第1方向垂直。

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