买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210009973.6，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法及装置是由卓成;董晓;温晨怡设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法及装置，实现提取三维集成电路中硅通孔电感的等效电路以达到高效获取硅通孔电感电学参数的目的。根据硅通孔电感的特性设计二端口等效电路的具体结构，构建简单的人工神经网络模型来提取硅通孔电感等效电路，网络的输入为硅通孔电感的设计参数和理论计算的电感，输出为等效电路中的元件值，利用该模型可以提取等效电路并计算硅通孔电感的Y参数。本发明方法及装置能够快速地提取硅通孔电感等效电路，与仿真软件相比具有很高的准确度和效率。

本发明授权一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于神经网络的硅通孔电感等效电路参数提取方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 1提取硅通孔电感的参数：对硅通孔电感进行仿真，获取硅通孔电感在不同频率下的Y参数，通过改变硅通孔电感的设计参数，包括硅通孔的直径dtsv、硅通孔与磁芯空洞之间的距离dsep、两个磁芯空洞之间的距离wmag以及硅通孔的高度，获得多组数据，并计算硅通孔电感的理论电感值； 2根据硅通孔电感的电学特性，构建由子电路YS和Yshunt组成的π型硅通孔电感等效电路，YS两端分别串联一个Yshunt，两个Yshunt的另一端接地，其中YS的具体结构为电阻R2和电容C1先并联再与电阻R1和电感L1串联，Yshunt的具体结构为电阻R3和电容C3先并联再与电容C2串联； 3利用神经网络模型提取硅通孔电感等效电路参数，网络的输入为硅通孔电感的设计参数和理论电感值，网络的输出为硅通孔电感等效电路中电阻、电感和电容对应的电阻值、电感值和电容值，根据硅通孔电感等效电路中的具体元件值计算出神经网络预测的Y参数，与实际的Y参数以及通过理论电感值和预测的等效电路中的电感值L1之差构建的正则项共同构成损失函数，训练网络得到硅通孔电感等效电路参数提取模型； 4给定硅通孔电感的设计参数，利用训练好的硅通孔电感等效电路参数提取模型计算等效电路中的元件值，进而快速地计算Y参数；利用神经网络预测的元件值计算等效电路Y参数的方法为： 其中ω为角频率，j2＝-1，R1、R2、R3为神经网络预测的等效电路中的电阻值，L1为神经网络预测的等效电路中的电感值，C1、C2、C3为神经网络预测的等效电路中的电容值；和为利用神经网络预测的元件值计算的等效电路Y参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。