恭喜拓荆科技股份有限公司王晓晨获国家专利权
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龙图腾网恭喜拓荆科技股份有限公司申请的专利铝合金部件制造方法及半导体反应腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114360998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111618005.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权铝合金部件制造方法及半导体反应腔是由王晓晨;谈太德;郭月设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本铝合金部件制造方法及半导体反应腔在说明书摘要公布了：本发明提供了铝合金部件制造方法及半导体反应腔，包含：将铝合金进行锻造或热轧；在所述锻造或所述热轧的过程中，藉由控制变形度及或制造温度以构成复数个铝合金部件，所述等铝合金部件至少为配置于所述半导体反应腔中的一上极板、一下极板、一档板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；其中，在一使用所述氟离子清洗半导体反应腔的过程中，所述等铝合金部件的表面与所述氟离子反应形成氟化铝。本发明能有效减少氟化铝的增长速度，使铝合金部件有更长的使用寿命。此外，本发明还提供了一种半导体反应腔。
本发明授权铝合金部件制造方法及半导体反应腔在权利要求书中公布了：1.一种铝合金部件的制造方法，所述铝合金部件应用于半导体反应腔中，其特征在于，包含： 在锻造或热轧的过程中，藉由控制变形度和或制造温度的方式，形成一晶粒范围介于300μm-5000μm的长晶粒的铝合金部件，其中，所述铝合金部件至少为配置于所述半导体反应腔中的一上电极板、一下电极板、一挡板、输送氟离子的一管路及所述半导体反应腔之内壁的其中之一者；以及 对所述铝合金部件进行机械加工，调整所述铝合金部件的一表面的晶格方向，以使所述表面在一使用氟离子清洗半导体反应腔的过程中，与所述氟离子反应形成致密的氟化铝来阻挡所述氟离子向所述铝合金部件的内部扩散。
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