恭喜杭州芯耘光电科技有限公司夏晓亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州芯耘光电科技有限公司申请的专利一种SOC开发流程优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114398852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111573365.X,技术领域涉及:G06F30/398;该发明授权一种SOC开发流程优化方法是由夏晓亮设计研发完成,并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOC开发流程优化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种SOC开发流程,其特征是包括:开始阶段:时间线和架构准备;执行阶段:生成模块文件和开发UVM测试用例;回归阶段:开发模板和芯片的约束条件、网表生成和进行收敛要求判断;最后阶段:完成STA、LVS、DRC、LEC、时序、IRDrop和物理检查以及进行测试判断。本发明提供一种减少芯片设计过程失误,提高流片的成功率并且缩短了芯片开发周期的一种SOC开发流程。
本发明授权一种SOC开发流程优化方法在权利要求书中公布了:1.一种SOC开发流程优化方法,其特征是包括: 开始阶段:项目文件准备;其中,项目准备包括完成项目验证功能列表,项目准备完成后,生成准备文档和技术库文件; 执行阶段:生成模块文件和开发UVM测试用例;其中,生成模块文件过程中第一阶段的过程包括:根据开始阶段中的准备文档和技术库文件,完成物理设计过程的模块文件,完成综合过程的模块文件; 回归阶段:开发模板和芯片的约束条件、网表生成和进行收敛要求判断;回归阶段包括以下步骤:c1:根据物理设计过程的模块文件和综合过程的模块文件开发模块和芯片的约束条件;根据物理设计过程的模块文件开发模块和芯片的约束条件具体过程如下:首先完成物理设计脚本代码,然后检查警告和修复错误,然后在有限条件下完成整个物理设计,最后校验CTS约束条件;根据综合过程的模块文件开发模块和芯片的约束条件具体过程如下:首先完成脚本约束代码,然后修正违反规则的错误,然后完成植入DFT模块,最后修正违反规则的错误; 最后阶段:完成STA、LVS、DRC、LEC、时序、IRDrop和物理检查以及进行测试判断;包括以下步骤:d1:在能生成后仿真网表后,开始下一步骤;d2:完成STA,LVS,DRC,LEC,时序,IRDrop和物理检查;d2步骤的具体过程如下:首先创建LEC文件,通过LEC检查,然后导出GDS和网表文件,通过LVS检查,然后导出MMMCSDC文件,通过STA验证,然后通过DRC、ERC规则检查,然后进行功耗检查,然后结束d2步骤;进行功耗检查结束后会进行ECO流程;d3:进行边界条件检查是否通过判断,若通过,则结束;若不通过,则开始下一步骤;d4:进行ECO进度,然后返回步骤d2;根据具体情况,在需要进行工程修改时,进行ECO步骤,在不需要工程修改时也可以跳过ECO步骤,直接返回步骤d2。
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