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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701060.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;张浩;许增升;王晓娟设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，基底包括第一导电层和器件层；在基底内形成第一开口，第一开口底部暴露第一导电层表面；在基底内形成第二开口，第二开口底部暴露电阻层表面；采用第一选择性成膜工艺，在暴露的第一导电层表面形成第二导电膜；采用第二选择性成膜工艺，在第二导电膜和暴露的电阻层表面形成第三导电膜，第二选择性成膜工艺与第一选择性成膜工艺之间采用的反应气体不同；在形成第三导电膜后，在第一开口内形成第四导电结构；在形成第三导电膜后，在第二开口内形成第五导电结构。从而，能够在降低半导体结构的制造工艺难度的同时，使半导体结构的性能和可靠性较好。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一导电层和器件结构，所述基底还包括位于所述第一导电层和器件结构之间的第一介质层、位于第一介质层上的第二介质层、以及位于第一介质层和第二介质层之间的刻蚀停止层，所述第二介质层内具有电阻层，所述电阻层的材料包括氮化钛； 位于第二介质层和刻蚀停止层内的第一开口，所述第一开口底部暴露出第一导电层；位于第二介质层内的第二开口，所述第二开口底部与电阻层内的电阻开口连通； 第二导电膜，所述第二导电膜位于部分第一开口内，覆盖第一开口底部暴露的第一导电层顶面，所述第二导电膜的材料包括含氟钨； 第三导电膜，所述第三导电膜位于部分第一开口内，覆盖第一开口内的第二导电膜表面，所述第三导电膜还位于所述电阻开口和部分第二开口内，所述第三导电膜的材料包括无氟钨； 第四导电结构，所述第四导电结构位于第一开口内的第三导电膜表面； 第五导电结构，所述第五导电结构位于第二开口内的第三导电膜表面； 其中，所述第二导电膜和所述第三导电膜在所述第四导电结构和所述第五导电结构之前形成；所述第四导电结构和所述第五导电结构采用选择性金属沉积工艺形成，且反应气体包括六氟化钨。

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