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龙图腾网恭喜浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司申请的专利一种选择性发射极的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110592048.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种选择性发射极的制备方法及太阳能电池是由王钊;陈石;杨洁设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性发射极的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种选择性发射极的制备方法及包含该选择性发射极的太阳能电池。所述制备方法依次包括以下步骤：对硅衬底表面进行掺杂元素的扩散，以在所述硅衬底表面由内至外形成扩散层和氧化硅层；采用激光在所述硅衬底一面的氧化硅层表面的部分区域开槽，并使得槽底达到所述扩散层；清除激光开槽区域内的多孔硅并保留至少部分激光损伤；以及对激光开槽区域内的扩散层进行所述掺杂元素的二次扩散，使得所述扩散层包括具有第一掺杂浓度的轻掺杂区以及具有第二掺杂浓度的重掺杂区。所述选择性发射极能够改善金属栅线电极与硅衬底之间的接触性能，进而提高相应太阳能电池的转换效率。

本发明授权一种选择性发射极的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤： 对硅衬底表面进行掺杂元素的扩散，以在所述硅衬底表面由内至外形成扩散层和氧化硅层，其中，所述扩散层包括第一掺杂浓度的掺杂元素； 采用激光在所述硅衬底一面的氧化硅层表面的部分区域开槽，并使得槽底达到所述扩散层，在所述槽底暴露出扩散层之后停止激光灼烧； 清除激光开槽区域内的多孔硅并保留至少部分激光损伤；以及 对激光开槽区域内的扩散层进行所述掺杂元素的二次扩散，使得所述扩散层包括具有第一掺杂浓度的轻掺杂区以及具有第二掺杂浓度的重掺杂区，其中，所述重掺杂区与所述激光开槽区域相对应，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度； 其中，所述清除激光开槽区域内的多孔硅并保留至少部分激光损伤时，包括以下步骤：在60℃~80℃的温度条件下采用包含质量浓度为1%~5%的KOH和质量浓度为3%~5%的H2O2的溶液对所述激光开槽区域刻蚀1min~3min； 或者，所述清除激光开槽区域内的多孔硅并保留至少部分激光损伤时，包括以下步骤：在800℃~900℃的温度和氧气气氛的条件下对所述激光开槽区域氧化30min~60min，之后采用质量浓度为2%~8%的氢氟酸清洗3min~6min； 或者，所述清除激光开槽区域内的多孔硅并保留至少部分激光损伤时，包括以下步骤：采用等离子体以1000W~1500W的输出功率对所述激光开槽区域辐照5min~10min。

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