恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑安皓获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110035145.5，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑安皓;郭舫廷;陈彦羽设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明针对用于制造具有金属电极的MiM电容器结构的方法，金属电极具有富氮金属氮化物层。该方法包括在设置在衬底上的第一互连层上沉积第一电极双层，其中第一电极双层包括具有不同氮浓度的第一层和第二层。该方法还包括在第一电极双层上沉积介电层，以及在第一互连层上沉积第二电极双层，其中第二电极包括具有不同氮浓度的第三层和第四层。该方法还包括图案化第一电极双层、介电层和第二电极双层以在第一互连层上形成电容器结构。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一互连层，设置在衬底上，其中，所述第一互连层包括导电结构； 电容器结构，形成在所述第一互连层的导电结构上，其中，所述电容器结构包括： 第一电极双层，包括第一层和第二层，所述第一层和所述第二层的每个包括不同的氮浓度； 介电层，设置在所述第一电极双层的所述第二层上；和 第二电极双层，位于所述介电层上，所述第二电极双层包括第三层和第四层，所述第三层和所述第四层的每个包括不同的氮浓度；以及 第二互连层，位于所述电容器结构上，其中，所述第二互连层的导电结构与所述第二电极双层的所述第四层接触； 覆盖层，设置在所述第四层的顶面上； 堆叠件，覆盖所述覆盖层的顶面和所述电容器结构的侧壁表面； 其中，所述覆盖层的侧壁表面与所述堆叠件接触并且与所述第二电极双层的侧壁表面共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号