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龙图腾网恭喜深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院申请的专利Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011549420.7，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法是由高芳亮;杨金铭设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。

本发明授权Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层； 所述低温AlN层的厚度为50～100nm； 所述高温AlN层的厚度为200～500nm； 所述第一AlGaN层的厚度为2～10nm； 所述第二AlGaN层的厚度为800～2000nm； 所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm； 所述AlGaN多量子阱层由7～10个周期的Al0.3Ga0.7N阱层和Al0.5Ga0.5N垒层构成； 所述Al0.3Ga0.7N阱层的厚度为2～3nm，所述Al0.5Ga0.5N垒层的厚度为10～13nm； 从靠近Si衬底至远离Si衬底的方向，所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层中Al组分的含量从0.4逐渐降低至0，所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层的厚度为300～350nm。

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