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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利多波长LED结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116391266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106286.5，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权多波长LED结构及其制作方法是由刘慰华;程凯设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本多波长LED结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种多波长LED结构1、2、3、4、5、6、7、8及其制作方法，多波长LED结构1、2、3、4、5、6、7、8包括：第一半导体层ll、具有V形坑l2a的应力释放层12、自下而上层叠于V形坑l2a的侧壁以及应力释放层12的顶壁的第一量子阱层131与第二量子阱层132，以及位于第二量子阱层132上的第二半导体层14，第二半导体层14的导电类型与第一半导体层ll的导电类型相反。利用外延生长在V形坑l2a侧壁的量子阱层的厚度小于生长在顶壁的量子阱层的厚度，量子阱层的厚度小，对应的禁带宽度大，发光波长短，载流子易于隧穿，可提高靠近N型半导体层的量子阱层的发光效率，电子空穴对复合在不同区域对应的发光颜色不同，避免使用复杂驱动电路、寿命长、可靠性高，同时，显色性好且发光波长可自由调整。

本发明授权多波长LED结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多波长LED结构，其特征在于，包括： 第一半导体层11，位于所述第一半导体层11上的应力释放层12，所述应力释放层12内具有V形坑12a； 自下而上层叠于所述V形坑12a的侧壁以及所述应力释放层12的顶壁的第一量子阱层131与第二量子阱层132；位于所述应力释放层顶壁的所述第二量子阱层132为第一发光区13a；位于所述应力释放层顶壁的所述第一量子阱层131为第二发光区13b；位于所述V形坑侧壁的所述第一量子阱层131或所述第二量子阱层132为第三发光区13c； 位于所述第二量子阱层132上的第二半导体层14，所述第二半导体层14的导电类型与所述第一半导体层11的导电类型相反；所述第二半导体层14与所述第一半导体层11的电子空穴对复合在所述第一发光区13a，对应第一发光波长；所述第二半导体层14与所述第一半导体层11的电子空穴对复合在所述第二发光区13b，对应第二发光波长；所述第二半导体层14与所述第一半导体层11的电子空穴对经所述V形坑12a的侧壁复合在所述第三发光区13c，对应第三发光波长；所述第一发光波长、所述第二发光波长以及所述第三发光波长对应不同颜色； 其中， 所述第一半导体层11的导电类型为N型，所述第二半导体层14的导电类型为P型，所述第二量子阱层132包括第二势阱层132b、设置在所述第二势阱层132b两侧的第二势垒层132a，以及设置在邻接所述第二半导体层14的所述第二势垒层132a与所述第二势阱层132b之间的第二防湮灭层132c，所述第二防湮灭层132c的导带能级高于所述第二势垒层132a的导带能级；和或所述第一量子阱层131包括第一势阱层131b、设置在所述第一势阱层131b 两侧的第一势垒层131a、以及设置在邻接所述第二量子阱层132 的所述第一势垒层131a与所述第一势阱层131b之间的第一防湮灭层131c，所述第一防湮灭层131c的导带能级高于所述第一势垒层131a的导带能级；或 所述第一半导体层11的导电类型为P型，所述第二半导体层14的导电类型为N型，所述第一量子阱层131包括第一势阱层131b、设置在所述第一势阱层131b两侧的第一势垒层131a、以及设置在邻接所述应力释放层12的所述第一势垒层131a与所述第一势阱层131b之间的第一防湮灭层131c，所述第一防湮灭层131c的导带能级高于所述第一势垒层131a的导带能级；和或所述第二量子阱层132包括第二势阱层132b、设置在所述第二势阱层132b 两侧的第二势垒层132a，以及设置在邻接所述第一量子阱层131 的所述第二势垒层132a与所述第二势阱层132b之间的第二防湮灭层132c，所述第二防湮灭层132c的导带能级高于所述第二势垒层132a的导带能级。

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