恭喜台湾积体电路制造股份有限公司柯闵咏获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011237208.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法是由柯闵咏;刘世昌设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法。顶部电极与硬掩模部分的柱堆叠形成于含有连续参考磁化层、连续非磁性隧道阻挡层以及连续自由磁化层的层堆叠上方。可沉积且各向异性地刻蚀连续介电衬里，以形成内介电间隔件。可各向异性地刻蚀连续自由磁化层、连续非磁性隧道阻挡层以及连续参考磁化层，以形成作为磁性隧道结的相应参考磁化层、相应非磁性隧道阻挡层以及相应自由磁化层的垂直堆叠。内介电间隔件防止硬掩模部分的金属材料在磁性隧道结的侧壁上重新沉积。可去除硬掩模部分，且金属单元接触结构可形成于每一顶部电极的顶部上。
本发明授权存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性隧道结存储器器件，其特征在于包括： 垂直堆叠，包括参考磁化结构、非磁性隧道阻挡以及自由磁化结构，且定位在半导体衬底上方； 顶部电极，上覆所述自由磁化结构的中心部分； 内介电间隔件，上覆所述自由磁化结构的周边部分且横向包围所述顶部电极，且包含锥形外侧壁，所述锥形外侧壁相对于垂直方向具有在2度到10度范围内的锥角； 外介电间隔件，横向包围所述内介电间隔件和所述垂直堆叠；以及 金属单元接触结构，在包括介电基质层的顶部表面的水平面内接触所述顶部电极的顶部表面，其中所述金属单元接触结构接触所述内介电间隔件的顶部表面和所述外介电间隔件的顶部表面，且所述顶部电极的顶部表面、所述内介电间隔件的顶部表面和所述外介电间隔件的顶部表面大致齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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