买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜同和电子科技有限公司申请的专利点光源型发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069775.8，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权点光源型发光二极管及其制造方法是由岩田雅年;进藤成树设计研发完成，并于2020-10-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本点光源型发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够简化制造工序且能够降低发光图案中的来自光释放窗之外的发光的点光源型发光二极管及其制造方法。本发明的点光源型发光二极管具备：基板、n型包层、发光层、p型包层、具有开口部的n型电流局限层、设置在前述n型电流局限层上的p型接触层、以及具有光释放窗的p型电极，所述光释放窗的中心与前述开口部相同，前述光释放窗的窗开口宽度的大小为前述开口部的开口宽度以上，前述点光源型发光二极管具有在厚度方向上从前述p型接触层至前述发光层的氢离子注入部，前述发光层具有非注入区域和氢离子注入区域，所述非注入区域的中心与前述光释放窗相同且具有比前述光释放窗的开口宽度大的区域宽度，所述氢离子注入区域包围前述非注入区域。

本发明授权点光源型发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种点光源型发光二极管，其特征在于，其具备： 基板； 所述基板上的n型包层； 所述n型包层上的发光层； 所述发光层上的p型包层； n型电流局限层，其设置在所述p型包层上，且具有使所述p型包层的一部分露出的开口部； p型接触层，其设置在所述p型包层的露出面上和所述n型电流局限层上， p型电极，其设置在所述p型接触层上，且具有中心与所述开口部相同的光释放窗， 所述发光层由通式InaGabAlcPxAsySbz表示，其中，关于III族元素，c＝1-a-b，0≤a≤1，0≤b≤1，0≤c≤1，关于V族元素，z＝1-x-y，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1， 所述光释放窗的窗开口宽度的大小为所述开口部的开口宽度以上， 所述点光源型发光二极管具有在厚度方向上从所述p型接触层至所述发光层的氢离子注入部， 所述发光层具有非注入区域和氢离子注入区域，所述非注入区域的中心与所述光释放窗相同，且具有比所述光释放窗的窗开口宽度大的区域宽度，所述氢离子注入区域包围所述非注入区域， 所述氢离子注入区域的氢浓度为5.0×1017atomscm3以上，所述非注入区域的氢浓度为2.0×1017atomscm3以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人同和电子科技有限公司，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。