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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011056510.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由吴佳宏;荆学珍;张浩设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一互连结构，且所述衬底表面暴露出所述第一互连结构表面；在所述衬底表面形成若干层重叠的复合介质结构，每层复合介质结构包括第一介质层以及位于第一介质层表面的第二介质层；在所述复合介质结构内形成位于第一互连结构表面的初始第二互连结构；在形成所述初始第二互连结构后，对至少1层第一介质层进行修复处理，以使所述第一介质层内释放朝向所述初始第二互连结构的应力；在所述修复处理后，平坦化所述初始第二互连结构，直至暴露出与衬底表面之间的间距最小的复合介质结构表面，形成第二互连结构。从而，提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有第一互连结构，且所述衬底表面暴露出所述第一互连结构表面； 在所述衬底表面形成若干层重叠的复合介质结构，每层复合介质结构包括第一介质层以及位于第一介质层表面的第二介质层； 在所述复合介质结构内形成位于第一互连结构表面的初始第二互连结构； 在形成所述初始第二互连结构后，对至少1层第一介质层进行修复处理，以使所述第一介质层内释放朝向所述初始第二互连结构的应力； 在所述修复处理后，平坦化所述初始第二互连结构，直至暴露出与衬底表面之间的间距最小的复合介质结构的表面为止，形成第二互连结构； 其中，所述修复处理的工艺包括热处理； 所述复合介质结构的数量为2层，并且，所述修复处理的对象为所述2层复合介质结构中，在垂直于衬底表面方向上，底面与衬底表面的间距较大的第一介质层； 或者，所述复合介质结构的数量为3层以上，并且，所述修复处理的对象为3层中的多层复合介质结构的第一介质层。

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