恭喜东海炭素株式会社牛岛裕次获国家专利权
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龙图腾网恭喜东海炭素株式会社申请的专利一种多晶SiC成型体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114430782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080067860.0，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种多晶SiC成型体是由牛岛裕次;杉原孝臣;奥山圣一设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶SiC成型体在说明书摘要公布了：本发明提供一种多晶SiC成型体，其电阻率为0.050Ωcm以下，在拉曼光谱中波数为760～780cm‑1范围内的峰强度为“A”，在拉曼光谱中波数为790～800cm‑1范围内的峰强度为“B”，则峰比率AB为0.100以下。
本发明授权一种多晶SiC成型体在权利要求书中公布了：1.一种多晶SiC成型体，其中， 所述多晶SiC成型体利用四点探针法测定的电阻率为0.050Ωcm以下， 在激发波长532nm的拉曼光谱中波数为760～780cm-1范围内的峰强度为“A”，在拉曼光谱中波数为790～800cm-1范围内的峰强度为“B”，则峰比率AB为0.100以下， 其中，所述峰比率AB通过如下方式计算得到：首先将波数为850～900cm-1范围内的拉曼散射强度的算数平均值作为背景修正值，然后求出波数766cm-1下的拉曼光谱的峰强度和波数795cm-1下的拉曼光谱的峰强度，从这些值中分别减去上述背景修正值，作为除去了背景的峰值的值，此时将波数766cm-1下的峰强度设为“A”，将波数795cm-1下的峰强度设为“B”，从这些值计算出了峰比率AB， 其中，所述多晶SiC成型体通过将多晶SiC膜从石墨基板分离并加工得到，并且 所述多晶SiC成型体具有300μm至1000μm的厚度和按质量百万分比计200ppm～1000ppm的氮含量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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