恭喜美光科技公司C·维拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利改进的竖直3D存储器装置及存取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115669263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080101330.3，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权改进的竖直3D存储器装置及存取方法是由C·维拉;S·F·席佩斯;P·凡蒂尼;E·博兰里那设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本改进的竖直3D存储器装置及存取方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种改进的竖直3D存储器装置及存取方法。本公开提供一种存储器装置及其存取取消选择方法。所述存储器装置包括：存储器层，其包含形成于其中的存储器单元的竖直三维3D存储器阵列，其中存储器单元经由彼此正交的字线及数字线被存取，且所述数字线呈竖直延伸的导电支柱的形式；支柱选择层，其形成于所述存储器层下方，且其中形成有用于存取存储器单元的薄膜晶体管TFT；及外围电路层，其形成于所述支柱选择层下方，且具有用于字线及位线的感测放大器及解码电路系统，其中针对每一支柱配置TFT。
本发明授权改进的竖直3D存储器装置及存取方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器层，其包含形成于其中的存储器单元的竖直三维3D存储器阵列，其中存储器单元经配置以经由彼此正交的字线及数字线被存取，且所述数字线是竖直延伸的导电支柱； 支柱选择层，其中形成有用于存取存储器单元的多个薄膜晶体管TFT； 外围电路层，其形成于所述支柱选择层下方，且具有用于所述存储器装置的多条字线及多条数字线的感测放大器及解码电路系统，其中所述多条数字线中的每一条数字线都是竖直延伸的不同导电支柱；以及 所述多个TFT的矩阵，其位于所述多条数字线的下方和上方，其中多个导电支柱中的每个导电支柱与所述多个TFT中的相应TFT相关联。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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