恭喜新唐科技日本株式会社吉田一磨获国家专利权
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龙图腾网恭喜新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553400.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置是由吉田一磨;大河亮介;井上翼设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及的一种半导体装置，是面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置，在电池的放电电路中，被用于1A以上的瞬时放电的电流控制，且该半导体装置在硅基板上形成有多个元件，所述半导体装置具有串联连接电路，该串联连接电路由相互并联连接的多个电阻元件、与在所述瞬时放电时瞬时成为导通状态的晶体管元件不经由其他元件地串联连接而成，所述半导体装置的厚度是250μm以上，构成所述串联连接电路的全部元件被形成在所述硅基板上。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置，在电池的放电电路中，被用于1A以上的瞬时放电的电流控制，且该半导体装置在硅基板上形成有多个元件， 所述半导体装置具有串联连接电路，该串联连接电路由相互并联连接的多个电阻元件、与在所述瞬时放电时瞬时成为导通状态的晶体管元件不经由其他元件地串联连接而成， 所述半导体装置的厚度是250μm以上， 构成所述串联连接电路的全部元件被形成在所述硅基板上， 在对所述半导体装置进行平面视时，所述多个电阻元件以所述半导体装置的中央侧的位置为中心被配置成放射状。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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