恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社周洛龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811494037.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及其制造方法是由周洛龙设计研发完成，并于2018-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的半导体器件包括：n‑型外延层，布置在衬底的第一表面上；p型区，布置在n‑型外延层上；n+型区，布置在p型区上；栅极，布置在n‑型外延层上；氧化膜，布置在栅极上；源电极，布置在氧化膜和n+型区上；以及漏电极，布置在衬底的第二表面上。栅极包括PN结部分。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： n-型外延层，布置在衬底的第一表面上； p型区，布置在所述n-型外延层上； n+型区，布置在所述p型区上； 沟槽，布置在所述n-型外延层中； 栅极，布置在所述n-型外延层上，其中，所述栅极包括PN结部分，所述栅极的一部分突出至所述沟槽的外部； p+型区，布置在所述p型区上，并且所述p+型区与所述沟槽横向隔开； 氧化膜，布置在所述栅极上； 源电极，布置在所述氧化膜和所述n+型区上；以及 漏电极，布置在所述衬底的第二表面上， 其中，所述栅极包括第一栅极以及布置在所述第一栅极上的第二栅极， 其中，所述第一栅极的上表面的延伸线布置为低于所述p型区的下表面， 其中： 所述第一栅极包括n型多晶硅；并且 所述第二栅极包括p型多晶硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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