恭喜西安交通大学陈小亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510417649.1，技术领域涉及：H01B5/00；该发明授权一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构及其制造方法是由陈小亮;邵金友;罗奕卓;吕建;李祥明;田洪淼;王春慧设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构及其制造方法，导电增强结构的弹性基底中分布有微结构阵列；运用泊松效应特性，在拉伸作用下，泊松效应导致拉伸的垂直方向上材料发生压缩，压缩使微结构之间的距离减小，对填充在微结构中的多孔导电填料产生挤压效应，从而使多孔导电填料中的二维纳米导电材料连接更加紧密，克服了传统导电材料在拉伸作用下易失效的问题，能够实现越拉导电性越好的优异性能；制造方法上采用先刮涂后烧结的工艺，使多孔导电填料在微结构中形成，相较于先烧结后刮涂的工艺，减少了多孔结构的初始变形，有利于其后续实现导电增强效应；本发明解决了导电材料易脱落的问题，具有高循环稳定性，适用于柔性可拉伸电路的制造。
本发明授权一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于柔性可拉伸电路的导电增强结构，其特征在于，包括弹性基底4，弹性基底4表面分布有微结构阵列5，微结构阵列5内填充有多孔导电填料3，微结构阵列5上方通过弹性薄膜6对弹性基底4封装； 所述多孔导电填料3为可拉伸弹性材料2和二维纳米导电材料1制备的多孔可拉伸导体；在拉伸作用下，泊松效应导致拉伸的垂直方向上材料发生压缩，压缩使微结构阵列5之间的距离减小，对填充在微结构阵列5中的多孔导电填料3产生挤压效应，从而使多孔导电填料3中的二维纳米导电材料1连接更加紧密，实现导电增强效应； 所述多孔导电填料3的杨氏模量均小于弹性基底4和微结构阵列5的杨氏模量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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