恭喜松下知识产权经营株式会社糸井清一获国家专利权
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龙图腾网恭喜松下知识产权经营株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010215487.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由糸井清一;樱井大辅设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够实现稳定的形状的突起电极。半导体装置的制造方法包括：树脂形成工序，利用固化树脂覆盖包括多个电极焊盘的半导体元件的表面；突起形成工序，在电极焊盘上形成固化树脂的突起部，并且使突起部固化；树脂供给工序，通过耐镀覆液性树脂覆盖突起部；树脂露出工序，通过除去耐镀覆液性树脂的一部分，使突起部的一部分在耐镀覆液性树脂的表面上露出；溶解工序，通过除去相当于突起部的固化树脂，从而在耐镀覆液性树脂形成空洞部；镀覆工序，在空洞部填充金属；和树脂除去工序，除去耐镀覆液性树脂。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 树脂形成工序，利用固化树脂覆盖包括多个电极焊盘的半导体元件的表面； 突起形成工序，在所述电极焊盘上形成所述固化树脂的突起部，并且使所述突起部固化； 树脂供给工序，通过对镀覆液具有耐性的耐镀覆液性树脂覆盖所述突起部； 树脂露出工序，通过除去所述耐镀覆液性树脂的一部分，使所述突起部的一部分在所述耐镀覆液性树脂的表面上露出； 溶解工序，通过除去相当于所述突起部的所述固化树脂，从而在所述耐镀覆液性树脂形成空洞部； 镀覆工序，在所述空洞部填充金属；和 树脂除去工序，除去所述耐镀覆液性树脂。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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