恭喜李卫民获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜李卫民申请的专利通过湿化学法选择性去除Si3N4获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080015854.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权通过湿化学法选择性去除Si3N4是由李卫民设计研发完成，并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过湿化学法选择性去除Si3N4在说明书摘要公布了：公开了一种用于处理衬底的系统和一种用于处理衬底的方法。用于处理基板的系统包括被配置为接收基板的处理室，其中基板暴露于处理室中的蚀刻剂以移除基板的一部分并产生对基板的通路。蚀刻液中的副产物；副产物去除部，用于将副产物转化为沉淀物并去除沉淀物，从而去除副产物。去除副产物后，蚀刻溶液循环回到处理室。
本发明授权通过湿化学法选择性去除Si3N4在权利要求书中公布了：1.一种从半导体器件结构中去除材料的系统，包括： 处理腔室被配置为接收半导体器件结构，其中半导体器件结构暴露于处理腔室中的蚀刻剂以去除结构的一部分并产生进入蚀刻剂的副产物； 副产物去除部，用于将副产物转化为沉淀物并去除沉淀物，从而连续去除副产物；和在副产物去除后将蚀刻剂重新引入处理室的循环线； 所述副产物去除部包括沉淀促进剂供给部和过滤器，其中所述过滤器被配置为去除所述沉淀物； 所述沉淀促进剂包括用于在其上沉淀副产物的固体结构； 所述固体结构包括分子筛、二氧化硅、硅酸盐或硅氧烷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人李卫民，其通讯地址为：美国康尼狄克州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号