恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司唐睿智获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010010414.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的形成方法是由唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊设计研发完成，并于2020-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤： 提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区； 在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件，用于区分不同的功能区，所述隔离件呈倒梯形； 在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层； 在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层； 采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇； 在形成所述无定形硅层之前，还包括：在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成TiN层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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