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龙图腾网恭喜湘潭大学;松山湖材料实验室申请的专利低温制备少层二硒化钼纳米薄膜的工艺与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510297358.3，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权低温制备少层二硒化钼纳米薄膜的工艺与应用是由郝国林;王华峰;贺力员;陆雪媚;郝玉龙;张世伟;王凯祎;樊晨;周洁;刘紫馨设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温制备少层二硒化钼纳米薄膜的工艺与应用在说明书摘要公布了：本发明公开低温制备二硒化钼纳米薄膜的工艺与应用。该方法通过构建精准的硒钼源浓度调控体系，结合钼源前驱体的结构优化设计，实现了层数可控、结晶质量高的少层二硒化钼纳米薄膜的制备。具体步骤而言，首先在管式炉中将钼箔升至一定温度，再引入去离子水在水蒸气微环境下合成氧化钼箔，然后以所得氧化钼箔和硒粉为前驱体，通过调控硒粉升华温度与基底温度的梯度场以及硒钼源浓度，得到大面积少层二硒化钼纳米薄膜。实验结果表明，该方法具有生长温度低、合成效率高和层数可控等优势，在电化学析氢测试中，少层二硒化钼展现出显著优于单层结构的性能。本发明为二维过渡金属硫族化合物的规模化制备提供了新策略，适合工业化生产。

本发明授权低温制备少层二硒化钼纳米薄膜的工艺与应用在权利要求书中公布了：1.低温制备少层二硒化钼纳米薄膜的工艺，其特征在于，包括如下步骤： S1.将金属钼箔推至管式炉热区中心，程序升温至465~500℃区间后，将装载去离子水的石英舟平移至距钼箔4~5cm的位置，在空气氛围中进行8~15min的氧化反应，得到水辅助合成的氧化钼箔； S2.将水辅助合成的氧化钼箔转移至生长基底的正上方，水辅助合成的氧化钼箔与生长基底间的限域高度为1~5mm，重新推至管式炉热区中心，按照载气流动方向，在管式炉的上游放置装载硒粉的石英舟，管式炉的上游为距管式炉热区中心21~24cm的位置处； S3.采用氩气吹扫反应腔进行清洗，在H2Ar混合气氛下，程序升温将管式炉热区中心的温度升至450~800℃，维持8~20min进行生长； S4.终止加热后保持混合气体持续流动，待管式炉自然冷却至20-25°C，打开管式炉，即获得少层二硒化钼纳米薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湘潭大学;松山湖材料实验室，其通讯地址为：411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。