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龙图腾网恭喜长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510281055.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由曹堪宇;黎冠杰;孟皓;吴楠设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：形成位于衬底上的叠层结构；在叠层结构中形成第一隔离结构、牺牲结构和填充层，图形化第一半导体层以形成阵列排布的初始有源图案，第一隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，第一隔离部沿第二方向的尺寸大于第二隔离部沿第二方向的尺寸，沿第二方向相邻的第一隔离部相接触；去除部分填充层并形成初始字线层；去除牺牲结构以分别形成位线槽和电容槽，图形化初始有源图案为有源结构，图形化初始字线层为字线结构；在位线槽和电容槽中分别形成位线结构和电容结构，位线结构和电容结构在第一方向上交替排布且在第二方向上交替排布。上述半导体结构的制备方法简化了字线结构的制造工艺难度。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成位于衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括沿竖直方向交替叠设的第一半导体层和第二半导体层； 在所述叠层结构中形成第一隔离结构、牺牲结构和填充层，并图形化所述第一半导体层以形成阵列排布的初始有源图案，所述第一隔离结构沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一隔离结构包括位于所述初始有源图案所在层的第一隔离部和位于所述第二半导体层所在层的第二隔离部，第一隔离部沿第二方向的尺寸大于第二隔离部沿第二方向的尺寸且沿第二方向相邻的第一隔离部相接触，所述牺牲结构位于沿第一方向相邻的第一隔离结构之间，所述填充层位于所述第二半导体层所在层； 去除部分所述填充层，并形成初始字线层； 去除所述牺牲结构和至少部分填充层以分别形成位线槽和电容槽，并图形化所述初始有源图案为有源结构，图形化所述初始字线层为沿第一方向延伸的字线结构； 在所述位线槽和所述电容槽中分别形成位线结构和电容结构，所述位线结构和所述电容结构在所述第一方向上交替排布且在所述第二方向上交替排布。

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