恭喜大连理工大学桑超峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118278185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410373276.8,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法是由桑超峰;王越;张彦杰;孙长江;王奇设计研发完成,并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法在说明书摘要公布了:一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法,其属于直线等离子体装置数值模拟领域该方法首先需要输入线圈和测量点的各项参数,通过判断线圈与测量点的距离,选择不同的计算方法,进而计算每个测量点的磁失势、磁通、磁场强度等。然后利用插值的方法,获得网格格点坐标的信息。再将上述数据信息存储为通用文件格式,最后通过可视化方法展示磁场信息。该方法具备自适应计算网格的能力,支持灵活调节线圈参数,包括电流、摆放位置等。本发明的特点在于准确高效的计算方法、多线圈组合模拟、直观可视化方法以及通用网格的生成,为直线装置磁场分析与设计以及数值模拟领域带来全新的技术解决方案,具有显著的科研与工程应用价值。
本发明授权一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法在权利要求书中公布了:1.一种直线等离子体装置模拟网格的生成方法,其特征在于,所述的方法具体包括以下步骤: 步骤1:输入属于线圈本身固有参数,所述固有参数包括线圈内径Rin,线圈外径Rout,线圈的厚度D,线圈的匝数turn;再输入线圈可调参数,可调参数包括电流I0和线圈的摆放位置Z;然后输入坐标参数,坐标参数包括线圈坐标ra,za,测量点坐标rb,zb,r方向网格间距rdim,z方向网格间距zdim; 步骤2:根据测量点“b”的坐标rb是否大于ra+n×rdim和zb是否大于za+n×zdim,来判断线圈位置“a”与测量点“b”的距离的远近程度; 步骤3:如果上述判断为是,即rb大于ra+n×rdim且zb大于za+n×zdim,则认为即线圈位置“a”到测量点“b”的距离为远距离,采用以下方程来求解互感: 其中,Kkc和Ekc分别是第一类和第二类完全椭圆积分函数,μ0是真空磁导率;R0,Z0即ra,za是线圈的坐标,I0是电流; 步骤4:当步骤2的判断为否,即rb小于ra+n×rdim或zb小于za+n×zdim,需要更进一步将网格精细划分,即选择dr=rdimp,dz=zdimp; 步骤5:然后需要进一步利用测量点“b”的坐标rb是否大于ra–n×rdim和zb是否大于za–n×zdim来判断线圈位置“a”与测量点“b”的距离是否重叠; 步骤6:如果步骤5的判断结果为是,即rb大于ra–n×rdim或zb是否大于za–n×zdim,则采用步骤4中的精细小网格继续用下面的方程计算: 步骤7:如果步骤5的判断结果为否,即rb小于ra–n×rdim且zb小于za–n×zdim,则需要使用线圈的自感代替互感,采用方程下: L=μ0rcT1+T2+T3 其中,L是所需的自感,rc表示线圈的平均半径,T1,T2,T3是自感应公式中的三个项,用于计算矩形线圈的自感应;T1表示了径向和轴向尺寸与对数项的乘积; T2包含了径向和轴向尺寸的平方与对数项的乘积,T2a,T2b,T2c,T2d,T2e,T2f分别是它的六个分量,可由T2a=3βa2+γa2α, 计算得到; T3为径向和轴向尺寸进行四次方后与对数项的乘积,T3a,T3b,T3c,T3d,T3e分别是其分量,即 其中,α是一个对数项,β和γ等是矩形线圈的径向和轴向尺寸与其平均半径的比值,u、v、w、w′是中间变量,其中u和v是根据线圈的几何特征计算出的对数项,w和w′则是计算出的反正切项;μ0是真空磁导率; 步骤8:通过步骤3,步骤6和步骤7可以计算出所有区域的互感,由互感计算所有测量点的磁失势: A=M×线圈电流I×匝数 步骤9:通过步骤8的磁失势计算磁通: ψ=rA 其中,r为当前网格点所对应的坐标; 步骤10:通过磁通或者磁失势,进而算出磁场强度如下: 其中,N代表线圈的组数; 步骤11:输出并存储所有的磁场信息; 步骤12:提取等值线并设定网格的r,z范围以及对应的网格数; 步骤13:利用函数,对水平磁通线和对应的z坐标进行插值,得到所要的网格信息; 步骤14:创建网格文件,选择通用的.nc格式,将存储的磁场强度,磁通以及计算的网格格点信息写入; 步骤15:利用可视化模块,读取网格文件并展示信息。
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