恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司戚德奎获国家专利权
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龙图腾网恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器、电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040491U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420644001.9，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型图像传感器、电子设备是由戚德奎;张豪轩;张利东;刘伯勋设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种图像传感器、电子设备，图像传感器包括：半导体基底；第一改进栅极结构，包括第一栅极结构及侧墙改善层；第一源漏，与第一栅极结构之间具有第一距离；第二改进栅极结构，包括第二栅极结构及侧墙改善层；第二源漏，与第二栅极结构之间具有不同于第一距离的第二距离。本实用新型对图像传感器的制备工艺及对应的结构进行设计，使得得到的晶体管可以满足不同性能的需求，如可以满足晶体管对不同电场强度的需求，采用初始侧墙以及侧墙改善层分步骤形成的方式，可以得到不同类型的晶体管的源漏，从而使得晶体管具有不同的结构，可以使得晶体管的源漏与晶体管的沟道之间具有不同的距离，从而可以满足晶体管对不同电场强度的需求。
本实用新型图像传感器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括： 半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面； 第一改进栅极结构，位于所述半导体基底的第一面，包括第一栅极结构及位于所述第一栅极结构侧壁的侧墙改善层； 第一源漏，位于所述第一改进栅极结构周围的所述半导体基底中，且所述第一源漏与所述第一栅极结构之间具有第一距离； 第二改进栅极结构，位于所述半导体基底的第一面且与第一改进栅极结构之间具有间距，包括第二栅极结构及位于所述第二栅极结构侧壁的侧墙改善层； 第二源漏，位于所述第二改进栅极结构周围的所述半导体基底中，且所述第二源漏与所述第二栅极结构之间具有不同于所述第一距离的第二距离。
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