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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011150285.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王彦;涂武涛;陈建;邱晶;李锦锦设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括隔离区和器件区，所述隔离区包括第一区和第二区；位于所述器件区上的若干第一鳍部和若干第二鳍部，所述第一鳍部还横跨于所述隔离区上，所述第二鳍部内具有位于所述隔离区上的隔离开口；位于所述隔离区上形成若干第一栅极结构；位于所述第一区上的第一开口；位于所述第一开口内的隔离结构。通过所述第一栅极结构为所述第二鳍部提供应力需求；通过所述隔离结构为所述第一鳍部提供应力需求。利用不同步骤形成所述第一栅极结构和所述隔离结构，使得最终所述第一鳍部和所述第二鳍部能够产生不同类型的应力，以满足不同类型晶体管的需求，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的隔离区和多个器件区，所述隔离区位于相邻所述器件区之间，所述隔离区包括沿第二方向排布的第一区和第二区，所述第二方向与所述第一方向垂直； 位于所述器件区上的若干第一鳍部和若干第二鳍部，若干所述第一鳍部和若干所述第二鳍部均平行于所述第一方向且沿所述第二方向排列，所述第一鳍部还横跨于所述隔离区上，所述第二鳍部内具有位于所述隔离区上的隔离开口，所述隔离开口沿所述第二方向贯穿所述第二鳍部； 位于所述隔离区上形成若干第一栅极结构，所述第一栅极结构沿所述第二方向横跨于所述第一鳍部上和所述第二鳍部； 位于所述第一区上的第一开口，所述第一开口还位于相邻的所述第一栅极结构之间，且所述第一开口的底部表面低于所述第一鳍部的顶部表面； 位于所述第一开口内的隔离结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。