恭喜台湾积体电路制造股份有限公司胡凡获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利微机电系统装置及其形成方法及集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112441553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911174299.1，技术领域涉及：B81B7/04；该发明授权微机电系统装置及其形成方法及集成芯片是由胡凡;郑创仁;陈相甫;戴文川设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本微机电系统装置及其形成方法及集成芯片在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种微机电系统MEMS装置及其形成方法及集成芯片。所述微机电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构与第一介电结构之间的第一电极。
本发明授权微机电系统装置及其形成方法及集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种微机电系统装置，包括： 第一介电结构，设置在第一半导体衬底之上，其中所述第一介电结构至少局部地界定空腔； 第二半导体衬底，设置在所述第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中所述可移动质量体的相对的侧壁设置在所述空腔的相对的侧壁之间； 第一压电防粘连结构，设置在所述可移动质量体与所述第一介电结构之间，其中所述第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在所述第一压电结构与所述第一介电结构之间的第一电极， 内连结构，设置在所述第一介电结构内；以及 导电通孔，设置在所述第一介电结构内，其中所述导电通孔从所述内连结构的第一导电特征垂直地延伸到所述第二半导体衬底，其中所述导电通孔经由导电通道电耦合到所述可移动质量体，所述导电通道在第二半导体衬底延伸。
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