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龙图腾网恭喜斯坦雷电气株式会社申请的专利半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112868109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980068568.8，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权半导体发光元件是由小幡俊之;桥本健宏设计研发完成，并于2019-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体发光元件在说明书摘要公布了：该半导体发光元件具有：n型半导体层，其具有AlGaN或AlInGaN组分；有源层，其包含基于AlGaN的半导体或基于AlInGaN的半导体，并形成在n型半导体层上；p型半导体层，其具有AlN、AlGaN或AlInGaN组分，并形成在有源层上；以及p电极，其形成在p型半导体层上，其中，p型半导体层具有形成在p电极上的接触层，接触层包括具有朝向与p电极的界面减小的带隙的AlGaN层或AlInGaN层，并且接触层具有与p电极接触的隧穿接触层，并且隧穿接触层通过隧穿结连接到p电极。

本发明授权半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括： n型半导体层，该n型半导体层具有AlGaN或AlInGaN的组分； 有源层，该有源层形成在所述n型半导体层上，所述有源层包含AlGaN半导体或AlInGaN半导体； p型半导体层，该p型半导体层形成在所述有源层上，所述p型半导体层具有AlN、AlGaN或AlInGaN的组分；以及 p电极，该p电极形成在所述p型半导体层上，其中， 所述p型半导体层包括形成在所述p电极上的接触层，所述接触层由Al组分朝向所述p型半导体层与所述p电极之间的界面减小使得所述接触层的带隙朝向所述p型半导体层与所述p电极之间的所述界面减小的AlGaN层组成，并且 所述接触层包括与所述p电极直接接触的由AlGaN层组成的隧穿接触层，并且所述隧穿接触层通过隧穿结连接到所述p电极， 所述有源层具有包括阱层和势垒层的量子阱结构，并且所述势垒层与所述阱层相比具有大带隙， 所述阱层由组分为Alx1Ga1-x1N的AlGaN层组成，所述阱层的Al组分在等于0.5或小于所述势垒层的Al组分的范围内，并且 所述接触层的带隙在大于所述阱层的带隙的带隙范围内变化， 其中，所述接触层中的所述Al组分的减小率朝向所述p型半导体层与所述p电极之间的所述界面减小或增加。

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