恭喜LG电子株式会社金定燮获国家专利权
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龙图腾网恭喜LG电子株式会社申请的专利利用微型LED的显示装置以及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114127942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980098292.8,技术领域涉及:H10H29/01;该发明授权利用微型LED的显示装置以及其制造方法是由金定燮;金政勋;朴昶绪设计研发完成,并于2019-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用微型LED的显示装置以及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种利用了形成有多重钝化层的半导体发光元件来最小化短路不良的微型LED显示装置以及其制造方法。在此,在本发明一实施例的利用了复数个半导体发光元件的显示装置中,特征在于,所述半导体发光元件中的至少一个包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、活性层、第一导电型电极、第二导电型电极以及配置为依次包围第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面的第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层位于在所述第一导电型电极和所述第二导电型电极的上部中除了与第一电极和第二电极接触的部分之外的区域。
本发明授权利用微型LED的显示装置以及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种显示装置的制造方法,该显示装置利用了半导体发光元件,其中,包括: 在第一基板形成半导体发光元件的步骤; 将所述半导体发光元件转印到第二基板的步骤; 在转印到所述第二基板的所述半导体发光元件涂布绝缘层的步骤;以及 形成与所述半导体发光元件电连接的布线电极的步骤; 形成所述半导体发光元件的步骤包括: 在所述第一基板形成包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层、第一导电型电极以及第二导电型电极的半导体发光结构物的步骤; 在所述半导体发光结构物形成第一钝化层的步骤; 选择性地去除在所述半导体发光结构物的所述第一导电型电极和所述第二导电型电极的上部形成的所述第一钝化层的步骤; 在所述半导体发光结构物形成第二钝化层的步骤。
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