恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910899412.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有鳍部，鳍部包括密集区和稀疏区；在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的鳍部内；在衬底上形成介质层，介质层覆盖栅极结构的顶部；在稀疏区的栅极结构一侧的介质层内形成第一通孔，第一通孔的底部暴露出栅极结构的顶部侧壁。本发明由于形成的第一通孔的深度变浅，后续在第一通孔内填充的金属层时，能够在第一通孔内填充金属层的体积量减少，从而使得栅极结构与源漏掺杂层连接处产生的寄生电容得到减少，使得形成的半导体器件的使用性能和质量得到提高，使用的灵敏度得到提升。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区，所述稀疏区位于相邻所述密集区之间； 在所述衬底上形成横跨所述鳍部的栅极结构和源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内； 在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构的顶部； 在所述稀疏区的所述栅极结构一侧的所述介质层内形成第一通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述栅极结构的顶部侧壁和部分所述介质层，所述第一通孔用于填充金属层，以连接所述稀疏区两侧的所述鳍部内的所述源漏掺杂层，实现所述源漏掺杂层连接处之间的电连接。
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