恭喜浙江拓感科技有限公司张国星获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江拓感科技有限公司申请的专利台面型红外焦平面阵列及台面电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579768.7，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权台面型红外焦平面阵列及台面电极制备方法是由张国星;张传杰;雷华伟设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本台面型红外焦平面阵列及台面电极制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外焦平面探测器技术领域，提供一种台面型红外焦平面阵列及台面电极制备方法。该阵列包括：像元电极区，有多个作为像元电极的像元台面，各像元台面由宽度小于预设宽度且深度大于预设深度的第一隔离槽隔开；公共电极区，有多个由第一隔离槽或第二隔离槽隔开的公共电极台面，各公共电极台面周围至少有一个第二隔离槽，第二隔离槽宽度和深度均大于第一隔离槽，第一、第二隔离槽由一次刻蚀同步得到，公共电极区的第一隔离槽底部，第二隔离槽底部和侧壁，公共电极台面表面沉积导电金属，以将公共电极从外延材料底部引至台面表面。以解决相关技术中红外焦平面阵列难以兼顾台面占空比较大、横向扩散电流较小、导电路径较稳定的问题。
本发明授权台面型红外焦平面阵列及台面电极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种台面型红外焦平面阵列，其特征在于，包括像元电极区和公共电极区，所述像元电极区包括多个像元台面，所述公共电极区包括多个公共电极台面； 各个所述像元台面之间由第一隔离槽隔开，其中，所述像元台面的表面沉积有导电金属作为红外焦平面阵列的像元电极，所述第一隔离槽为宽度小于预设宽度且深度大于预设深度的隔离槽； 各个所述公共电极台面之间由所述第一隔离槽或者第二隔离槽隔开，且每个所述公共电极台面周围至少刻蚀有一个所述第二隔离槽，其中，所述第二隔离槽为宽度大于所述第一隔离槽的宽度，且深度大于所述第一隔离槽的深度的隔离槽，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽是经一次刻蚀同步得到的； 在所述公共电极区中，所述第一隔离槽的底部，所述第二隔离槽的底部和侧壁，以及所述公共电极台面的表面均沉积有导电金属，用于将所述红外焦平面阵列的公共电极，从所述红外焦平面阵列的外延材料的底部引至所述公共电极台面的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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