恭喜深圳市鑫典金光电科技有限公司王美科获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市鑫典金光电科技有限公司申请的专利IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120087282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510561712.9，技术领域涉及：G06F30/28；该发明授权IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统是由王美科;杨裕东设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统，涉及芯片技术领域。所述方法包括：联网调用，得到芯片仿真模型；确定芯片应用场景；进行电热耦合仿真，输出接触面散热需求分布；进行流场仿真优化分析，定位散热面针翅密度分布；进行协同布局分析，输出焊接区域分布；进行焊接凹槽结构参数匹配，输出焊接凹槽分布；将焊接凹槽分布和散热面针翅密度分布融合至接触面结构，得到空洞率优化模型；依据空洞率优化模型进行铜散热底板的开模和批量生产。解决了现有技术中IGBT铜散热底板接触面空洞率不均匀，导致散热性能不稳定的技术问题，达到了优化散热底板接触面空洞率，提高散热效率和稳定性的技术效果。
本发明授权IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.IGBT铜散热底板接触面空洞率的结构优化方法，其特征在于，所述方法包括： 根据IGBT芯片的封装结构进行模型联网调用，得到芯片仿真模型； 根据芯片唯一标识符进行本地订单调用，确定芯片应用场景； 提取所述芯片应用场景的功率分布特征对所述芯片仿真模型进行电热耦合仿真，输出接触面散热需求分布； 根据所述接触面散热需求分布进行流场仿真优化分析，定位散热面针翅密度分布； 根据所述接触面散热需求分布和散热面针翅密度分布进行协同布局分析，输出焊接区域分布； 基于散热需求一致性划分所述焊接区域分布，得到多个局部焊接区域，根据多个局部焊接区域的多个区域散热需求进行焊接凹槽结构参数匹配，输出焊接凹槽分布； 将所述焊接凹槽分布和散热面针翅密度分布融合至接触面结构，得到空洞率优化模型； 依据所述空洞率优化模型进行铜散热底板的开模和批量生产。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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