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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510518474.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法是由周海;陈彤;胡臻;何佳设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+掺杂区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，分别形成P+阱区和截止环接触区；重新形成阻挡层，刻蚀，刻蚀漂移层形成至少三个沟槽，淀积，形成绝缘介质区；重新形成阻挡层，刻蚀，并淀积，形成绝缘层；重新形成阻挡层，刻蚀，刻蚀绝缘层形成至少两个穿孔，并淀积金属，形成电位传递金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成高电阻率导体层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成源极金属层和截止环金属层，保证终端耐压能力的同时节省了终端结构宽度。

本发明授权一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅VDMOS器件电位平衡终端结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P+掺杂区； 步骤3、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，分别形成P+阱区和截止环接触区； 步骤4、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层形成至少三个沟槽，淀积，形成绝缘介质区； 步骤5、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并淀积，形成绝缘层； 步骤6、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀绝缘层形成至少两个穿孔，并淀积金属，形成电位传递金属层； 步骤7、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成高电阻率导体层； 步骤8、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成源极金属层和截止环金属层； 所述绝缘层分别连接至P+掺杂区上侧面、漂移层上侧面以及绝缘介质区上侧面；所述电位传递金属层下侧面连接至漂移层上侧面；所述截止环金属层下侧面连接至截止环接触区；所述源极金属层下侧面连接至P+阱区以及P+掺杂区；所述高电阻率导体层下侧面连接至绝缘层以及电位传递金属层。

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