恭喜湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510476382.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构是由袁俊;吴阳阳;彭若诗;陈伟;王宽;郭飞;成志杰;徐少东;朱厉阳;李明哲设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于4H‑SiC的3C‑SiC复合外延结构及器件结构，其中，复合外延结构包括：4H‑SiC衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂埋层、载流子隧穿区及3C‑SiC外延层；N型掺杂外延层设于4H‑SiC衬底上；3C‑SiC外延层二次外延或键合于N型掺杂外延层的表面；3C‑SiC外延层与N型掺杂外延层的接触界面层形成有载流子隧穿区；P型掺杂埋层离子注入于N型掺杂外延层的上部区域中。该结构能够有效解决现有技术中4H‑SiC作为基板制备SiC‑MOS器件存在的界面态密度和沟道电子迁移率的提高有限、器件的导通能力差、电学性能和长期可靠性不佳的问题，提供一种器件导通能力强、电学性能和长期可靠性好的复合外延结构及器件结构。
本发明授权一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构及器件结构在权利要求书中公布了：1.一种基于4H-SiC的3C-SiC复合外延结构，其特征在于，包括：4H-SiC衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂埋层、载流子隧穿区及3C-SiC外延层； 所述N型掺杂外延层设于所述4H-SiC衬底上； 所述3C-SiC外延层二次外延或键合于所述N型掺杂外延层的表面； 所述3C-SiC外延层与所述N型掺杂外延层的接触界面层形成有所述载流子隧穿区； 所述P型掺杂埋层离子注入于所述N型掺杂外延层的上部区域中； 所述4H-SiC衬底为N型掺杂4H-SiC层；所述3C-SiC外延层为N型掺杂3C-SiC层； 所述N型掺杂外延层为N型掺杂4H-SiC层或N型掺杂Ga2O3层。
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