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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510469196.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端及制备方法，所述方法包括：碳化硅衬底上侧面外延生长，得到漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+阱区及P+区；重新形成阻挡层，刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽；淀积，形成第一P型沟槽区、第二P型沟槽区及第三P型沟槽区；重新形成阻挡层，在设定温度以及设定时间下，进行热扩散再分布，形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成绝缘层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成源极金属层和截止环金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成高电阻率导体层，去除阻挡层，解决电场集中导致的击穿问题，提高器件的可靠性。

本发明授权一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS沟槽型电场调制变掺杂终端的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、碳化硅衬底上侧面外延生长，得到漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P+阱区以及P+区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并向下刻蚀第二凹槽以及第三凹槽； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并向下刻蚀第三凹槽； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积碳化硅材料，形成第一P型沟槽区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积碳化硅材料，形成第二P型沟槽区； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积碳化硅材料，形成第三P型沟槽区； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，在设定温度以及设定时间下，将第一P型沟槽区、第二P型沟槽区以及第三P型沟槽区进行热扩散再分布，形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区；主结包括第一P型掺杂区以及第一P型沟槽区；第一场限环包括第二P型掺杂区以及第二P型沟槽区；第二场限环包括第三P型掺杂区以及第三P型沟槽区，所述P+阱区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区依次连接； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成绝缘层； 步骤11、去除步骤10的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成源极金属层和截止环金属层； 步骤12、去除步骤11的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成高电阻率导体层，去除重新形成的阻挡层。

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