买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119968100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510451283.X，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法是由廖志敏;曹子文;王安琦;赵彤阳;林芳设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法。本发明采用硅锗量子阱结构，与传统硅MOS工艺兼容，避免了开发新材料基底的高成本，能够方便地匹配现有的硅基集成电路；本发明通过栅压调控载流子浓度，能够分别适应恒压和恒流工作模式；并且能够调控至高迁移率，有效降低器件的散热和功耗；此外，栅压能灵活调节霍尔元件的灵敏度，匹配不同负载下的磁场范围，适应不同的应用需求；本发明方案显著提升了器件的性能和工作灵活性，使单个器件兼具高灵敏度测量能力，并适应多种工作模式，有助于减少元件数量，优化电路设计，并提升大规模集成与开发的便利性；本发明应用于磁场测量，尤其适用于低温环境下微弱磁场的探测。

本发明授权一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件，其特征在于，所述栅控霍尔元件包括：衬底、缓冲层、硅锗量子阱结构、源电极、漏电极、测量电极、氧化物绝缘层和栅极；其中，在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成硅锗量子阱结构； 硅锗量子阱结构从下至上依次包括第一势垒层、势阱层、第二势垒层和盖帽层；第一势垒层和第二势垒层的材料采用硅锗化合物，势阱层的材料采用锗，通过势阱层限制以及锗的材料特性，在势阱层形成高迁移率的空穴作为载流子；在势阱层定义导电沟道，在导电沟道周围设置源电极和漏电极以及两对测量电极，源电极和漏电极分别位于导电沟道纵向的两端，两对测量电极分别位于导电沟道横向的两侧，源电极、漏电极和两对测量电极分别与导电沟道电学连接构成桥式的霍尔棒结构； 硅锗量子阱结构上形成氧化物绝缘层；在氧化物绝缘层上形成栅极，栅极位于导电沟道的正上方； 源电极和漏电极连接至恒压源为恒压模式，或者源电极和漏电极连接至恒流源为恒流模式；两对测量电极连接至外部的测量电路；栅极连接至调控电压源； 测量电路测量横向的霍尔电压得到外部的磁场信息；调控电压源改变栅压，分别实现不同模式下提高霍尔灵敏度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。