买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种集成电路扫描电镜图像降噪方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119941562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429544.8，技术领域涉及：G06T5/70；该发明授权一种集成电路扫描电镜图像降噪方法是由陈旭;张正民设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路扫描电镜图像降噪方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成电路扫描电镜图像降噪方法，相比业界传统的多帧叠加技术，它能够避免光刻胶收缩，使图像成像更加清晰。本发明具体是在半导体制造产线上获取一张关键特征尺寸一致性晶圆；获取目标点在不同芯粒中的SEM图像；在上述SEM图像中寻找一张图像作为参考图像，其余图像作为待比较图像；获取参考图像与待比较图像间的所有重叠区域；对所有重叠区域计算最大交集区域，并对最大交集区域进行像素级平均，得到降噪后SEM图像。本发明能够降低SEM图像的噪声，提升图像质量，为半导体制造过程中产品质量检查和光刻模型驱动提供可靠的数据来源。

本发明授权一种集成电路扫描电镜图像降噪方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路扫描电镜图像降噪方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体制造产线上获取一张关键特征尺寸一致性晶圆； 获取目标点在不同芯粒中的SEM图像； 在上述SEM图像中寻找一张图像作为参考图像，其余图像作为待比较图像； 获取参考图像与待比较图像间的所有重叠区域； 对所有重叠区域计算最大交集区域，并对最大交集区域进行像素级平均，得到降噪后SEM图像； 其中，所述获取参考图像与待比较图像间的所有重叠区域过程如下： （1）查找参考图像与待比较图像，i=[1,k]间的特征点，k表示待比较图像的数量； （2）根据参考图像的特征点，逐一与待比较图像的特征点进行匹配，获取匹配对，进而求得单应性矩阵；实现过程如下： （2.1）根据参考图像的描述所有特征点的特征向量，构建具有空间几何特征的KD树； （2.2）对待比较图像的每一个特征点，从KD树中寻找与之最近邻的特征点作为参考特征点，参考特征点和当前待比较图像特征点作为一组匹配对，从而获得待比较图像和参考图像之间的特征点对应关系； （2.3）对每组匹配对的待比较图像特征点和参考图像特征点计算欧式距离，剔除距离超过阈值的待比较图像特征点； （2.4求解下式的非其次线性方程组，得到单应性矩阵H； ； 其中表示参考图像特征点的特征向量，表示待比较图像特征点的特征向量； （3）获取各个待比较图像和参考图像之间的重叠区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。