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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510308320.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；离子注入，形成续流区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成掩蔽层、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，并对漂移层以及掩蔽层进行刻蚀，形成凹槽，氧化形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至续流区上侧面，淀积金属，形成源极金属层；去除阻挡层，完成制备，能有效降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的反向恢复速度、提高器件的栅极可靠性和源极大电流冲击可靠性。

本发明授权一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层； 步骤2、将离子注入至漂移层，形成续流区； 步骤3、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成掩蔽层； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型阱区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成N型源区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并对漂移层以及掩蔽层进行刻蚀，形成凹槽，氧化形成绝缘介质层； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至续流区上侧面，淀积金属，形成源极金属层；去除阻挡层，完成制备； 所述续流区下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述续流区内设有P型阱区、N型源区、掩蔽层以及凹槽；所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面；所述P型阱区以及N型源区位于所述凹槽一侧；所述掩蔽层位于所述凹槽下方以及另一侧； 所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层下侧面连接至所述掩蔽层；所述绝缘介质层外侧面分别连接所述N型源区、P型阱区以及掩蔽层；所述绝缘介质层内设有沟槽； 所述栅极金属层设于所述沟槽内； 所述源极金属层分别连接所述续流区、N型源区以及掩蔽层。

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