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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件制备方法及基于其制备的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510308229.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体器件制备方法及基于其制备的半导体器件是由王文智设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件制备方法及基于其制备的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明的提供一种半导体器件制备方法，半导体器件制备方法包括按顺序进行的下列步骤：（1）晶体管结构成型步骤，（2）浅沟槽成型步骤，（3）电性隔离结构成型步骤；晶体管制备步骤包括以下操作：提供衬底，在衬底形成双阱区，在双阱区制备晶体管结构；双阱区包括邻接的第一阱区和第二阱区，在进行浅沟槽成型步骤之前，第一阱区和第二阱区始终保持不间断连接；浅沟槽成型步骤包括以下操作：在第一阱区与第二阱区之间的边界处形成浅沟槽；电性隔离结构成型步骤包括以下操作：在双阱区的表面淀积隔离氧化物，以形成浅沟槽隔离结构以及电性隔离层。通过令第一阱区和第二阱区保持不间断连接，抑制了第一阱区第二阱区中其他区域的阱离子向第一阱区和第二阱区之间的边界处扩散，拓宽了第一阱区、第二阱区中阱离子均匀掺杂的区域，基于此达到抑制半导体器件发生阈值电压下降的效果。同时，上述操作还有利于简化半导体器件加工的工序。

本发明授权一种半导体器件制备方法及基于其制备的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于： 所述半导体器件制备方法包括按顺序进行的下列步骤：（1）晶体管结构成型步骤，（2）浅沟槽成型步骤，（3）电性隔离结构成型步骤； 所述晶体管制备步骤包括以下操作：提供衬底，通过对所述衬底执行离子注入工艺以形成双阱区，在所述双阱区制备晶体管结构；所述双阱区包括邻接的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区为第一导电类型，所述第二阱区为第二导电类型，在进行所述浅沟槽成型步骤之前，所述第一阱区和所述第二阱区始终保持不间断连接； 所述浅沟槽成型步骤包括以下操作：在所述第一阱区与所述第二阱区之间的边界处形成浅沟槽，所述浅沟槽为用于制备浅沟槽隔离结构的凹槽； 所述电性隔离结构成型步骤包括以下操作：在所述双阱区的表面淀积隔离氧化物，至少一部分所述隔离氧化物填充所述浅沟槽的内部以形成浅沟槽隔离结构，且至少一部分所述隔离氧化物覆盖所述晶体管结构以在所述晶体管结构的表面形成电性隔离层。

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