恭喜大连理工大学张慧敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510265253.X，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用是由张慧敏;蔡永青;武梓轩;刘云龙;赵纪军设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用，属于半导体材料技术领域。该方法以钛酸锶单晶作为衬底，在超高真空条件下对衬底预处理，直至其表面形成规则台阶；随后利用铁源和锑源作为蒸发源，结合超高真空环境和精准的温度控制，通过分子束外延生长技术在经过预处理的衬底上制备出高质量的一维铁锑纳米线。制备得到的纳米线均匀分布于衬底表面，高度为8.03Å，宽度为2.7nm。扫描隧道谱结果显示，铁锑纳米线的能隙相对于铁锑薄膜明显增加，表现出半导体带隙可调性。本发明方法在精确控制制备均一尺寸、纳米宽度的窄带隙半导体纳米线方面具有显著优势，为新一代半导体器件的研发提供了优异的材料基础。
本发明授权一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）将钛酸锶衬底清洗后装入样品架，传入分子束外延腔体中，在超高真空条件下对所述钛酸锶衬底进行预处理，使预处理后的衬底的表面形貌表现为规则的台阶，所述台阶的宽度为50nm~200nm； （2）以铁源和锑源为蒸发源，采用分子束外延生长技术在预处理后的衬底上生长铁锑纳米线，生长过程中，铁源的蒸发温度为1170℃～1230℃，锑源的蒸发温度为350℃~430℃，预处理后的衬底的温度保持在380℃～420℃，生长速率为0.015层min~0.019层min，生长时间为26min~34min，铁锑纳米线高为8.03Å，宽为2.7nm。
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