买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118461142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410755270.7，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法是由刘立军;裴骏红;朱震霖;李建铖设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法，属于半导体材料制备技术领域，包括：炉体；第一坩埚，设置在炉体内，第一坩埚的内侧壁上沿着第一坩埚的周向开设有多个第一流道；第二坩埚，嵌设于第一坩埚内，且第二坩埚能够沿炉体的高度方向发生移动，第二坩埚的内侧壁上开设有多个第二流道，第二流道与第一流道一一对应且连通，第二坩埚的底壁与第一坩埚之间形成第一腔室；升降装置与第二坩埚连接，升降装置用于带动第二坩埚沿炉体的高度方向移动；加热组件用于对第一坩埚和第二坩埚进行加热。通过本申请提供的一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置，可以抑制溶液的蒸发效应，提高晶体长期生长的稳定性；同时，通过设置原料补充管还可以在生长过程中对消耗的溶质的适时补充，使第一坩埚中的供碳化硅晶体生长的混合溶液保持最佳配比状态。

本发明授权一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于液相法的双坩埚碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 炉体； 第一坩埚，设置在所述炉体内，所述第一坩埚的内侧壁上沿着所述第一坩埚的周向均匀开设有多个第一流道，所述第一流道沿着所述炉体的高度方向开设；所述第一坩埚采用非碳材质； 第二坩埚，嵌设于所述第一坩埚内，且所述第二坩埚能够沿所述炉体的高度方向发生移动，所述第二坩埚的内侧壁上均匀开设有多个第二流道，所述第二流道贯穿所述第二坩埚的侧壁，所述第二流道与所述第一流道一一对应且连通，所述第二坩埚的底壁与所述第一坩埚之间形成第一腔室；所述第二坩埚的材料包括石墨； 升降装置，设置在所述炉体的顶壁上，所述升降装置与所述第二坩埚连接，所述升降装置用于带动所述第二坩埚沿所述炉体的高度方向移动； 籽晶杆，沿所述炉体的高度方向转动设置在所述炉体内，所述籽晶杆的一端穿过所述第二坩埚至第一坩埚内，且所述籽晶杆位于所述第一坩埚内的端部上设置有籽晶托； 加热组件，设置在所述炉体内，所述加热组件围绕所述第一坩埚和所述第二坩埚设置，所述加热组件用于对所述第一坩埚和第二坩埚进行加热；所述加热组件包括底部加热器，所述底部加热器位于所述第一坩埚的底部； 原料补充管，设置在所述炉体上，所述原料补充管的一端位于所述炉体外，另一端延伸至所述第二坩埚内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。