恭喜华硼中子科技(杭州)有限公司王盛获国家专利权
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龙图腾网恭喜华硼中子科技(杭州)有限公司申请的专利一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118201185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410225786.0，技术领域涉及：H05H3/06；该发明授权一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法是由王盛;李竞伦;胡耀程设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及工程技术领域，公开了一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法。该中子源锂靶包括由下至上依次叠层的基板结构，衬底层，阻锂扩散层，锂靶层，以及盖设于锂靶层外周的保护层；阻锂扩散层与保护层对锂靶层的全部外周表面形成包封；阻锂扩散层的材料选自钽、钼、碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。本发明在现有中子源锂靶结构的基础上，于锂靶层下方设计有一层阻锂扩散层，其与保护层配合后能够有效减少锂靶层厚度损失以及可避免由于质子轰击造成的锂靶层不均匀现象，从而大幅延长中子源锂靶的使用寿命。
本发明授权一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：包括由下至上依次叠层的基板结构，衬底层，阻锂扩散层，锂靶层，以及盖设于所述锂靶层外周的保护层； 所述阻锂扩散层与所述保护层对所述锂靶层的全部外周表面形成包封； 所述阻锂扩散层的材料选自碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒、钨、钽和钼中的一种或多种； 所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为（10-40）：1：（140-160）。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华硼中子科技(杭州)有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市上城区九环路63号2幢A座135室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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