恭喜上海矽睿科技股份有限公司郭慧芳获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海矽睿科技股份有限公司申请的专利磁传感器及磁传感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118151063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410147499.2，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权磁传感器及磁传感器制备方法是由郭慧芳;徐兵兵;丁菊仁设计研发完成，并于2024-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器及磁传感器制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磁传感器，屏蔽板在平行于X‑Y平面内的退磁较小，屏蔽板容易被X‑Y平面内的磁场磁化，可以产生方向与外部磁场方向相反的感应磁场，从而可以与外部磁场抵消。而屏蔽板在Z轴的退磁较大，不容易被Z轴方向的磁场磁化，因此，Z轴方向的外部磁场可以顺利地被转向柱转向以供第一TMR组件检测。可见，通过设置软磁结构，在对Z轴磁场进行检测的同时还能够对X‑Y平面内的磁场起到屏蔽作用，从而避免对Z轴磁场的检测产生跨轴干扰。另外，屏蔽板和转向柱间隔设置，使得第一TMR组件和调节层可以尽可能地靠近设置，提高了调节层对磁传感器的磁复位和校准效果，此外，本发明还提供一种磁传感器制备方法。
本发明授权磁传感器及磁传感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底一侧的软磁结构，所述软磁结构包括转向柱及屏蔽板，所述转向柱与所述屏蔽板间隔设置并沿垂直于所述屏蔽板的方向延伸； 设置于所述转向柱与所述屏蔽板之间的调节层，所述调节层至少部分设置为线圈层，所述调节层的线圈层通电能够产生磁场；及 多个第一TMR组件，设置于所述转向柱与所述屏蔽板之间，所述第一TMR组件平行于所述屏蔽板且多个所述第一TMR组件及所述转向柱在所述屏蔽板的表面所在平面内的正投影位于所述屏蔽板的范围内，每个所述第一TMR组件在所述屏蔽板表面的正投影的边缘与所述屏蔽板边缘之间的距离大于或等于10微米。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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