恭喜珠海庞纳微半导体科技有限公司邢琨获国家专利权
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龙图腾网恭喜珠海庞纳微半导体科技有限公司申请的专利一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116695239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310405617.0，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件是由邢琨;胡君玮;杨波设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件。所述制备方法包括：提供氮化铝基底，所述氮化铝基底包括层叠设置的衬底及具有第一温度的氮化铝层；在所述氮化铝层背离所述衬底的表面设置保护层，所述保护层包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设置的平片区，所述平片区面向所述氮化铝层的表面的均方根粗糙度RMS的范围为：0nm＜RMS≤50nm；以及将氮化铝基底及保护层进行热退火处理，以得到具有第二温度的所述氮化铝薄膜；其中，所述第二温度大于第一温度。所述氮化铝薄膜的制备方法可以制备高晶体质量、低缺陷密度和高表面均匀性的氮化铝薄膜。
本发明授权一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供氮化铝基底，所述氮化铝基底包括层叠设置的衬底及具有第一温度T1的氮化铝层； 在所述氮化铝层背离所述衬底的表面设置保护层，所述保护层包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设置的平片区，所述平片区面向所述氮化铝层的表面的均方根粗糙度RMS的范围为：0nm＜RMS≤50nm；以及 将氮化铝基底及保护层进行热退火处理，以得到具有第二温度T2的所述氮化铝薄膜；其中，第二温度大于第一温度；所述第一温度T1的范围为：723.15K≤T1≤1873.15K；所述第二温度T2的范围为：773.15K≤T2≤2273.15K。
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