买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜富芯微电子有限公司申请的专利一种增强型TVS结构器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111485765.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种增强型TVS结构器件是由倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型TVS结构器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，所述少子注入结构区用于注入少数载流子，所述少子注入结构区为点状阵列结构，通过在N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，即实现在常规TVS结构器件的基础上，增设了少子注入补偿结构机制，当高压浪涌信号经过本案中的TVS结构器件时，少子注入补偿结构会向P型基区内注入少数载流子，这部分少数载流子会经过P型基区漂移至N型半导体衬底区，降低TVS结构器件在导通时的整体导通电阻，从而降低残压峰值，使被保护的后级IC受到更低的过压干扰。

本发明授权一种增强型TVS结构器件在权利要求书中公布了：1.一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底1，其特征在于，所述N型半导体衬底1的P型基区2上开设有少子注入结构区3，所述少子注入结构区3用于注入少数载流子； 所述少子注入结构区3为点状阵列结构； 点状阵列圆心间距为300微米，点状圆形掺杂区域直径为20微米； 制备该增强型TVS结构器件包括以下步骤： 步骤一：晶圆准备选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，N型，电阻率0.03-0.04Ωcm，厚度220μm±10％； 步骤二：一次氧化在炉温1100℃，氧气4Lmin，氢气5Lmin的工况下制作场氧掩蔽层，氧化层厚度1.5μm±10％； 步骤三：P基区制备在炉温1050℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源淀积，沉积时间40min，在炉温1260℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源推进，推进时间1500min，并使用四探针测试扩散方块电阻22Ω±10％，结深25μm±10％； 步骤四：少子注入结构区N型磷区扩散N型磷区扩散，形成少子注入区，在炉温1080℃，氧气2Lmin、氮气3Lmin、携源氮气1.2Lmin的工况下进行磷源淀积，沉积时间35min；在炉温1150℃，氧气2.5Lmin，氮气4Lmin的工况下进行硼源推进，推进时间350min，并使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％； 步骤五：金属层通过电子束金属化蒸发台工艺沉积金属层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富芯微电子有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市高新区香蒲路503号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。