恭喜长鑫存储技术有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478194.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器是由于业笑;陈龙阳;刘忠明;孔忠设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底包括：有源区；在衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均匀分布的刻蚀孔；其中，沟槽穿过刻蚀孔，刻蚀孔的深度大于沟槽的深度；沿第一刻蚀图形进行刻蚀，去除第一阻挡层，将第一介质层刻蚀形成导电槽。本申请能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。
本发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供衬底；所述衬底包括：有源区； 在所述衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层； 在所述第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，所述第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均匀分布的刻蚀孔；其中，所述沟槽穿过所述刻蚀孔，所述刻蚀孔的深度大于所述沟槽的深度； 沿所述第一刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质层刻蚀形成导电槽； 其中，所述在所述第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜，包括： 在所述第一阻挡层上沉积第一掩膜； 刻蚀所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的沟槽；所述沟槽的深度小于所述第一掩膜的厚度； 刻蚀所述第一掩膜，形成均匀分布的所述刻蚀孔；所述刻蚀孔贯穿所述第一掩膜； 所述沟槽和所述刻蚀孔组成所述第一刻蚀图形，从而形成包括所述第一刻蚀图形的所述第一掩膜。
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