恭喜长鑫存储技术有限公司占康澍获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容结构及其形成方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110807908.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容结构及其形成方法和存储器是由占康澍;宛强;徐朋辉;刘涛;李森;夏军设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构及其形成方法和存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电容结构及其形成方法和存储器，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；去除所述电极层；去除所述第一支撑层；在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且电极柱的顶部的外周壁与介质层连接。通过介质层覆盖电极柱的顶部，使得介质层与电极柱的外周壁之间无间隙，介质层可以完全固定住电极柱的顶部，可防止电极柱发生倾斜变形，使得电极柱不易发生脱落现象。
本发明授权电容结构及其形成方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸； 所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层； 去除所述电极层； 去除所述第一支撑层； 在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且所述电极柱的顶部的外周壁与所述介质层连接； 其中，去除所述第一支撑层包括： 所述第一支撑层与所述电极柱之间形成有氧化层，利用湿法刻蚀工艺，去除所述第一支撑层的同时去除所述氧化层； 湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括热磷酸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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