恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林琨祐获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113745164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110651854.6,技术领域涉及:H10D84/03;该发明授权半导体结构及其形成方法是由林琨祐;林恩平;葛育菱;廖志腾设计研发完成,并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了:方法包括:提供具有第一半导体材料的衬底;创建覆盖衬底的nFET区域的掩模;蚀刻衬底的pFET区域以形成沟槽;在沟槽中外延生长第二半导体材料,其中,第二半导体材料与第一半导体材料不同;以及图案化nFET区域和pFET区域,以在nFET区域中产生第一鳍,并且在pFET区域中产生第二鳍,其中,第一鳍包括第一半导体材料,并且第二鳍包括位于底部上方的顶部,其中,顶部包括第二半导体材料,并且底部包括第一半导体材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种形成半导体结构的方法,包括: 提供具有第一半导体材料的衬底; 创建覆盖所述衬底的nFET区域的掩模; 蚀刻所述衬底的pFET区域以形成沟槽; 在所述沟槽中外延生长第二半导体材料,其中,所述第二半导体材料与所述第一半导体材料不同;以及 图案化所述nFET区域和所述pFET区域,以在所述nFET区域中产生第一鳍,并且在所述pFET区域中产生第二鳍,其中,所述第一鳍包括所述第一半导体材料,并且所述第二鳍包括位于底部上方的顶部,其中,所述顶部包括所述第二半导体材料,并且所述底部包括所述第一半导体材料, 其中,所述图案化所述nFET区域和所述pFET区域包括: 通过鳍硬掩模各向异性蚀刻所述nFET区域和所述pFET区域; 在所述各向异性蚀刻之后,通过所述鳍硬掩模各向同性蚀刻所述nFET区域和所述pFET区域; 利用处理气体混合物处理由所述各向异性蚀刻和所述各向同性蚀刻产生的结构,所述处理在所述各向异性蚀刻和所述各向同性蚀刻产生的结构的侧壁上产生聚合物,以在随后的蚀刻工艺期间帮助控制所述各向异性蚀刻和所述各向同性蚀刻产生的结构的轮廓;以及 重复所述各向异性蚀刻、所述各向同性蚀刻和所述处理,直至所述各向异性蚀刻和所述各向同性蚀刻产生的结构达到目标鳍高度,以在所述nFET区域中产生所述第一鳍,并且在所述pFET区域中产生所述第二鳍,其中,所述各向异性蚀刻、所述各向同性蚀刻和所述处理施加不同的气体; 其中,所述第一鳍比所述第二鳍宽。
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